Product
Introduction
Detailed Specification
Power Device의 Life Time Control
| Ion Particles | Energy (MeV) | Si Range (um) | Si FWHM (um) |
|---|---|---|---|
| Proton | 2 | 44 | 3 |
| 4 | 163 | 8 | |
| 8 | 472 | 472 | |
| Helium-3 | 23 | 351 | 8 |
| Helium-4 | 3 | 13 | 1 |
| 17 | 165 | 4 |
Hydrogen ION Beam 주입에 의한 n-Layer 형성
NPT + Planar Type
~180μm
Helium Irradiation 진행으로
Life Time control 가능
FS Type + Trench
~150μm
Backside 구조 확대 :
Phorphorus Implant의 의한
Thin Layer n+ Layer
n+ Buffer type
~120μm
Proton Irradiation 진행으로
Backside에 n+ Buffer layer
형성 가능